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申请/专利权人：华南师范大学
摘要：本发明涉及高击穿电压和低导通电阻的常开HFET器件及其制备方法，包括依次层叠的缓冲层和势垒层，间断极化复合结构位于势垒层上，间断极化复合结构包括第一极化复合结构和第二极化复合结构，第一和第二极化复合结构分别由i型GaN帽层和位于其上的p型GaN帽层构成，其中第二极化复合结构中i型GaN帽层的宽度大于p型GaN帽层的宽度；p型GaN帽层上分别设置有基电极，源电极、漏电极和栅电极分别设置于势垒层上；该器件和方法通过间断极化复合结构的设置以及极化结中i型GaN帽层的延伸设置，调制了表面电场和体电场，使得在极化结的基础上大幅提高击穿电压，同时具有小的导通电阻，克服了击穿电压和导通电阻之间的折衷关系。
主权项：1.高击穿电压和低导通电阻的常开HFET器件，其特征在于，包括：衬底；缓冲层和势垒层，依次层叠于衬底上；间断极化复合结构，位于势垒层上，所述间断极化复合结构包括第一极化复合结构和第二极化复合结构，第一极化复合结构和第二极化复合结构之间具有间隙，所述第一极化复合结构具有第一i型GaN帽层和位于其上的第一p型GaN帽层，所述第二极化复合结构具有第二i型GaN帽层和位于其上的第二p型GaN帽层，其中，第二i型GaN帽层的宽度大于第二p型GaN帽层的宽度，所述第二i型GaN帽层延伸靠近漏电极；源电极，位于所述势垒层上，延伸至所述势垒层一定深度，靠近所述第一极化复合结构；漏电极，位于所述势垒层上，延伸至所述势垒层一定深度，靠近所述第二极化复合结构；栅电极，位于所述势垒层上，与所述第一极化复合结构朝向所述源电极的侧壁邻接；基电极，包含第一基电极和第二基电极，所述第一基电极位于第一p型GaN帽层上，所述第二基电极位于第二p型GaN帽层上；其中，第一极化复合结构靠近所述源电极，第二极化复合结构远离所述源电极。
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百度查询： 华南师范大学 高击穿电压和低导通电阻的常开HFET器件及其制备方法
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