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申请/专利权人：闽都创新实验室
摘要：本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体公开一种具有梯形衬底的PPLN脊形波导器件的制作方法，通过在铌酸锂晶体的一面设置能够进行标记的划痕，通过控制划痕深度来控制抛光程度，达到精密抛薄的效果，从而简化了铌酸锂薄膜的制备过程，具有很强的实用价值。
主权项：1.一种具有梯形衬底的PPLN脊形波导器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）取一片经高压极化过的铌酸锂，即周期极化的铌酸锂晶体，在其表面两侧边缘分别划刻一系列深度递增的划痕，形成一个梯形衬底（1）；（2）在各划痕里填满带颜色的胶水或者粉末；（3）另取一片与步骤（1）中铌酸锂晶体同尺寸的盖板（3）；（4）将周期极化铌酸锂晶体带有划痕的面和盖板（3）之间使用低折射率的胶水，在25-60℃进行胶合形成胶合层（2）；（5）在未胶合盖板（3）的周期极化铌酸锂晶体的另一面进行粗抛光，边抛边修正，当抛到出现有颜色的胶水或者粉末时停止粗抛光，再改用精细抛光和抛亮，即可完成梯形铌酸锂晶体的抛光；（6）最后使用划片机在进行抛光的周期极化铌酸锂晶体的表面切割出需要尺寸的脊形波导，进而形成具有梯形衬底（1）的PPLN脊形波导器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 闽都创新实验室 一种具有梯形衬底的PPLN脊形波导器件及其制作方法
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