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一种基于GOB模组覆膜成型后的切割工艺 

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申请/专利权人:山西高科华杰光电科技有限公司

摘要:本发明提供了一种基于GOB模组覆膜成型后的切割工艺,属于GOB封装技术领域;所要解决的技术问题是提供一种能精确定位模组位置并解决模组拼接时缝隙明显、拼接处发白从而影响产品实际装配和外观显示效果的技术问题的GOB模组覆膜成型后的切割工艺;为解决该技术问题采用的技术方案是:在PCB驱动面焊盘上标识Mark点,在数控精雕机的机台里安放PCB放置平台后将自然晾干的模组放入定位治具结合Mark点对模组进行精准定位,通过对模组进行二次切割保证产品精度控制在标准差范围内,清理残胶并撕掉模组表面的离型膜后用描边机对模组四边进行涂黑处理,确保在模组拼接过程中无白边现象;本发明应用于GOB模组覆膜成型后的切割。

主权项:1.一种基于GOB模组覆膜成型后的切割工艺,其特征在于:包括以下步骤:S1.在PCB驱动面焊盘上标识Mark点;S2.数控精雕机对模组进行精准定位;S3.通过数控精雕机初次粗切模组,确保切割过程中对模组外观及套件不会造成损坏;S4.使用数显卡尺对模组外观尺寸进行测量,并确定模组的尺寸范围差;S5.针对尺寸范围差对模组进行二次切割,保证模组精度控制在标准差范围内;S6.使用描边机对模组四周边缘进行涂黑处理,确保在模组拼接过程中无白边现象;S7.产品成型。

全文数据:

权利要求:

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