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申请/专利权人：湖州学院
摘要：本发明公开了一种YIG‑硫化砷薄膜片上磁光隔离器及其制备方法，所述磁光隔离器包括：设置在基片上的YIG‑硫化砷异质层，所述YIG‑硫化砷异质层呈异质波导结构，所述YIG‑硫化砷异质层包括位于基片上的YIG膜层以及位于YIG膜层上异质集成的硫化砷层，所述YIG‑硫化砷异质层上依次设置有二氧化硅保护层和提供外加磁场的金属微电路。本发明综合利用了YIG磁光材料优异的磁光特性和硫化砷折射率大的特性，采用在基片上自下而上一次集成的制备办法，避免了无法大规模生产的键合工艺，解决了片上磁光隔离器无法集成的问题，明显的提升了隔离器的非互易相移，并减小了器件尺寸；该方案的提出将会填补基于YIG的片上可集成、低成本的磁光隔离器技术空白。
主权项：1.一种YIG-硫化砷薄膜片上磁光隔离器，其特征在于：包括设置在基片上的YIG-硫化砷异质层，所述YIG-硫化砷异质层呈异质波导结构，所述YIG-硫化砷异质层包括位于基片上的YIG膜层以及位于YIG膜层上异质集成的硫化砷层，所述硫化砷层为光子波导传输层；所述YIG-硫化砷异质层上设置有二氧化硅保护层，所述二氧化硅保护层上再增加金属微电路提供外加磁场。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖州学院 一种YIG-硫化砷薄膜片上磁光隔离器及其制备方法
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