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申请/专利权人：江西新余新材料科技研究院
摘要：本发明公开一种晶体生长装置和晶体生长方法、TGS类晶体，晶体生长装置包括水槽、生长室、籽晶杆和籽晶；水槽为环形槽体，水槽全部或部分包围住生长室的侧部和底部；水槽的侧面和或水槽的上端面设置进水口和出水口；生长室的上端面和或水槽的上端面设置有保温盖；籽晶粘接在籽晶杆的下端，籽晶杆可进出生长室；籽晶杆上设置有传热介质进口和传热介质出口。本发明通过对水槽和籽晶杆双向控温，使得籽晶生长处的温度及过冷度可根据晶体生长特性进行调整，从而使得在籽晶生长过程中整体更加适宜晶体生长，降低晶体生长过程中缺陷的产生，提高了晶体质量。
主权项：1.一种晶体生长方法，其特征在于，包括晶体生长装置，所述晶体生长装置包括：水槽、生长室、籽晶杆和籽晶；所述水槽为环形槽体，所述水槽全部或部分包围住所述生长室的侧部和底部；所述水槽的侧面和或所述水槽的上端面设置进水口和出水口；所述生长室的上端面和或所述水槽的上端面设置保温盖；所述籽晶设置在所述籽晶杆的下端，所述籽晶杆可进出所述生长室；所述籽晶杆上设置有传热介质进口和传热介质出口；所述晶体生长方法的步骤包括：将原料放入所述生长室中，设置所述水槽的所述进水口的温度为T10；所述T10为70~90℃；待原料溶解完毕后，将所述水槽的进水口的温度T10按照ΔT10的降温速率降低至T11，并保持时间t1；所述T11为50~80℃；所述ΔT10为0.5~5℃h；所述t1为0.5~2h；将下端设置有籽晶的所述籽晶杆的传热介质进口的温度设置在T11，将籽晶杆伸入所述生长室后，按照ΔT20的降温速率降低至T21，并保持时间t2；所述T21为50~80℃；所述ΔT20为0.05~5℃h；所述t2为0.5~2h；所述T11和所述T21的差值为0.1~0.5℃；温度保持结束后，将所述水槽的进水口的温度和所述籽晶杆的传热介质进口的温度同时按照ΔT的降温速率降温；所述ΔT为0.01~0.1℃h；将所述水槽的进水口的温度降至T12，所述籽晶杆的传热介质进口温度降至T22时，完成晶体生长，所述T12和所述T22的差值为0.1~0.5℃，所述T12和所述T22为10~40℃。
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