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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：公开了用于检查STT‑MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统。本发明涉及一种用于提供应力评估方案的膜质量检查方法和系统，所述应力评估方案用于检查自旋转移矩磁性随机存取存储器STT‑MRAM的磁性隧道结MTJ单元的膜质量，其中，双极性信号和包括单极性空穴正极性和单极性电子负极性的单极性信号被同时施加到同一MTJ单元，然后根据周期间隙的比较的结果，具有厚度约1nm的薄膜的质量可被检查。
主权项：1.一种检查磁性隧道结MTJ单元的电介质膜质量的可靠性的系统的检查方法，所述检查方法包括：将单极性信号和双极性信号施加到自旋转移矩磁性随机存取存储器STT-MRAM的MTJ单元；比较单极性信号的特性与双极性信号的特性之间的周期间隙，所述特性从MTJ单元被生成；以及基于比较结果来检查MTJ单元的电介质薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统
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