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申请/专利权人：肇庆市华师大光电产业研究院
摘要：本发明属于纳米材料制备技术领域，公开了一种通过在等离子体刻蚀过程之前，在聚苯乙烯纳米微球阵列上旋涂苯乙烯单体溶液来诱导最近邻球之间形成纳米桥，并在金属沉积后得到弱连接的逾渗结构的制备方法。该制备方法在渗流阈值附近产生耦合、阴影互补的准Babinet金属阵列。该结构的主要等离子体效应是透射峰的强窄化，对系统参数的变化非常敏感。这种效应可以作为高灵敏度、廉价传感器的基础。
主权项：1.一种用于改良逾渗系统的纳米桥的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在基底上沉积六边形的聚苯乙烯微球单层膜，所述聚苯乙烯微球的直径为100nm～10μm；S2、在S1的聚苯乙烯微球单层膜上旋涂苯乙烯-乙醇溶液，并进行等离子刻蚀；S3、通过电子束蒸镀在经过等离子刻蚀后的结构上蒸镀10～100nm的金，即得纳米桥。
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百度查询： 肇庆市华师大光电产业研究院 一种用于改良逾渗系统的纳米桥的制备方法及其应用
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