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申请/专利权人：昆明理工大学津桥学院

摘要：本发明提供一种自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路，其包括：包括二极管D1（1）、电阻R3（2）、电阻R4（3）、电磁阀RL1（4）、电阻R1（5）、电阻R2（6）、NPN三级管Q1（7）、N沟道MOSFETQ2（8）。本发明ATM机Shutter门控制信号经过电阻R2（6）到达NPN三级管Q1（7）基极，如果Shutter门控制信号为低电平，NPN三级管Q1（7）截止，N沟道MOSFETQ2（8）工作在饱和区全部导通，24V电磁阀RL1（4）得电吸合，其联动Shutter门机械结构动作打开ATM机Shutter门；如果Shutter门控制信号为高电平，NPN三级管Q1（7）导通，N沟道MOSFETQ2（8）截止，24V电磁阀RL1（4）失电松开，其联动Shutter门机械结构在重力作用下动作闭合锁定Shutter门。

主权项：1.自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路，其特征在于：包括二极管D1（1）、电阻R3（2）、电阻R4（3）、电磁阀RL1（4）、电阻R1（5）、电阻R2（6）、NPN三级管Q1（7）、N沟道MOSFETQ2（8）；Shutter门控制信号输入端接电阻R1（5）上端、电阻R2（6）左端；所述NPN三级管Q1（7）基极接电阻R2（6）右端；电阻R1（5）下端、NPN三级管Q1（7）发射极、N沟道MOSFETQ2（8）漏极接地；+24VDC接电阻R3（2）上端、二极管D1（1）阴极、电磁阀RL1（4）输入端；所述电阻R4（3）上端接二极管D1（1）阳极；所述电阻R4（3）下端接N沟道MOSFETQ2（8）源极、电磁阀RL1（4）输出端；Shutter门控制信号经过电阻R2（6）到达NPN三级管Q1（7）基极，如果Shutter门控制信号为低电平，NPN三级管Q1（7）截止，N沟道MOSFETQ2（8）工作在饱和区全部导通，24V电磁阀RL1（4）得电吸合，其联动Shutter门开闭机械结构打开Shutter门；如果Shutter门控制信号为高电平，NPN三级管Q1（7）导通，N沟道MOSFETQ2（8）截止，24V电磁阀RL1（4）失电松开，其联动Shutter门机械开闭结构在重力作用下动作闭合锁定Shutter门，同时二极管D1（1）、电阻R4（3）、电磁阀RL1（4）组成的LRD泄放回路把N沟道MOSFETQ2（8）源极高压快速泄放，保护了电路安全；三极晶体管Q1（7）的型号为2N2369。

全文数据：自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路技术领域本发明涉及一种自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路。背景技术目前，ATM机Shutter门设计主要是使用步进电机驱动，其特点是机械结构设计复杂，容易出故障，需要3个月进行一次PM（预防性维护），相关齿轮接触点需要上相关型号机油，如果现场灰尘大，那么还要增加维护次数，所以故障率高，人力成本、维护成本非常大，市场急需一种结构简易及低维护率的ATMShutter门产品。发明内容本发明为了解决上述问题，提供了一种自动提款机SHUTTER门电磁阀驱动电路。该电路通过大电流和小电流的隔离设计，配予相关核心电子器件保护电路，使用24V电磁阀作为ATM机Shutter门的机械结构驱动动力，实现了Shutter门简易开关驱动，保证了开关可靠性的同时，抗灰尘能力明显增强，故障率显著降低，维护时间间隔可以延长至1年以上，维护次数减少4倍以上。为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：包括二极管D1（1）、电阻R3（2）、电阻R4（3）、电磁阀RL1（4）、电阻R1（5）、电阻R2（6）、NPN三级管Q1（7）、N沟道MOSFETQ2（8）；所述ATM机Shutter门控制信号经过电阻R2（6）到达NPN三级管Q1（7）基极，如果Shutter门控制信号为低电平，NPN三级管Q1（7）截止，N沟道MOSFETQ2（8）工作在饱和区全部导通，24V电磁阀RL1（4）得电吸合，其联动Shutter门机械结构动作打开ATM机Shutter门；如果Shutter门控制信号为高电平，NPN三级管Q1（7）导通，N沟道MOSFETQ2（8）截止，24V电磁阀RL1（4）失电松开，其联动Shutter门机械结构在重力作用下动作闭合锁定Shutter门，同时二极管D1（1）、电阻R4（3）、电磁阀RL1（4）组成的LRD泄放回路把N沟道MOSFETQ2（8）源极高压快速泄放，保护了电路安全。进一步地，所述所述Shutter门控制信号输入端接电阻R1（5）上端、电阻R2（6）左端；所述NPN三级管Q1（7）基极接电阻R2（6）右端；所述地接电阻R1（5）下端、NPN三级管Q1（7）发射极、N沟道MOSFETQ2（8）漏极；所述+24VDC接电阻R3（2）上端、二极管D1（1）阴极、电磁阀RL1（4）输入端；所述电阻R4（3）上端接二极管D1（1）阳极；所述电阻R4（3）下端接N沟道MOSFETQ2（8）源极、电磁阀RL1（4）输出端；。所述三极晶体管Q1（7）的型号为2N2369所述N沟道MOSFETQ2（8）的型号为2N7008。所述二极管D1（1）的型号为1N4002。所述电磁阀RL1（4）的型号为QD25-10A。本发明的工作原理是：如果Shutter门控制信号为低电平，NPN三级管Q1（7）截止，N沟道MOSFETQ2（8）工作在饱和区全部导通，24V电磁阀RL1（4）得电吸合，其联动Shutter门机械结构动作打开ATM机Shutter门；如果Shutter门控制信号为高电平，NPN三级管Q1（7）导通，N沟道MOSFETQ2（8）截止，24V电磁阀RL1（4）失电松开，其联动Shutter门机械结构在重力作用下动作闭合锁定Shutter门，同时二极管D1（1）、电阻R4（3）、电磁阀RL1（4）组成的LRD泄放回路把N沟道MOSFETQ2（8）源极高压快速泄放，保护了电路安全。本发明具有以下有益效果：本发明使用24V电磁阀作为ATM机Shutter门的机械结构驱动动力，实现了Shutter门简易开关驱动，保证了开关可靠性的同时，抗灰尘能力明显增强，故障率显著降低，维护时间间隔可以延长至1年以上，维护次数减少4倍以上。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明的结构示意图。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。如图1所示，二极管D1（1）、电阻R3（2）、电阻R4（3）、电磁阀RL1（4）、电阻R1（5）、电阻R2（6）、NPN三级管Q1（7）、N沟道MOSFETQ2（8）；所述ATM机Shutter门控制信号经过电阻R2（6）到达NPN三级管Q1（7）基极，如果Shutter门控制信号为低电平，NPN三级管Q1（7）截止，N沟道MOSFETQ2（8）工作在饱和区全部导通，24V电磁阀RL1（4）得电吸合，其联动Shutter门机械结构动作打开ATM机Shutter门；如果Shutter门控制信号为高电平，NPN三级管Q1（7）导通，N沟道MOSFETQ2（8）截止，24V电磁阀RL1（4）失电松开，其联动Shutter门机械结构在重力作用下动作闭合锁定Shutter门，同时二极管D1（1）、电阻R4（3）、电磁阀RL1（4）组成的LRD泄放回路把N沟道MOSFETQ2（8）源极高压快速泄放，保护了电路安全所述三极晶体管Q1（7）的型号为2N2369。所述N沟道MOSFETQ2（8）的型号为2N7008。所述二极管D1（1）的型号为1N4002。所述电磁阀RL1（4）的型号为QD25-10A。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

权利要求：1.自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路，其特征在于：包括二极管D1（1）、电阻R3（2）、电阻R4（3）、电磁阀RL1（4）、电阻R1（5）、电阻R2（6）、NPN三级管Q1（7）、N沟道MOSFETQ2（8）；所述Shutter门控制信号输入端接电阻R1（5）上端、电阻R2（6）左端；所述NPN三级管Q1（7）基极接电阻R2（6）右端；所述地接电阻R1（5）下端、NPN三级管Q1（7）发射极、N沟道MOSFETQ2（8）漏极；所述+24VDC接电阻R3（2）上端、二极管D1（1）阴极、电磁阀RL1（4）输入端；所述电阻R4（3）上端接二极管D1（1）阳极；所述电阻R4（3）下端接N沟道MOSFETQ2（8）源极、电磁阀RL1（4）输出端；所述ATM机Shutter门控制信号经过电阻R2（6）到达NPN三级管Q1（7）基极，如果Shutter门控制信号为低电平，NPN三级管Q1（7）截止，N沟道MOSFETQ2（8）工作在饱和区全部导通，24V电磁阀RL1（4）得电吸合，其联动Shutter门机械结构动作打开ATM机Shutter门。2.根据权利要求1所述的自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路，其特征在于：如果Shutter门控制信号为高电平，NPN三级管Q1（7）导通，N沟道MOSFETQ2（8）截止，24V电磁阀RL1（4）失电松开，其联动Shutter门机械结构在重力作用下动作闭合锁定Shutter门，同时二极管D1（1）、电阻R4（3）、电磁阀RL1（4）组成的LRD泄放回路把N沟道MOSFETQ2（8）源极高压快速泄放，保护了电路安全。3.根据权利要求1所述的自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路，其特征在于：所述三极晶体管Q1（7）的型号为2N2369。4.根据权利要求1所述的自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路，其特征在于：所述N沟道MOSFETQ2（8）的型号为2N7008。5.根据权利要求1所述的自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路，其特征在于：所述二极管D1（1）的型号为1N4002。6.根据权利要求1所述的自动提款机SHUTTER门继电器驱动电路，其特征在于：所述电磁阀RL1（4）的型号为QD25-10A。

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