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摘要：本发明涉及电路打嗝保护技术领域，提供一种打嗝式的保护电路设备与方法，保护电路设备包括具有保护用电流采样电阻与保护开关的主回路；主回路与包含有二极管、晶体管开关与电容的保护电路电连接，保护电路用于主回路的过流或过压保护。本发明使用电阻、电容、二极管、晶体管、MOS管等简单器件组成，电路简单，成本低；通过调整器件耐压参数，适用性广；保护电流可通过保护用电流采样电阻R3的阻值配置；保护重试间隔时间，可通过电阻五R6、电容C1的阻容值这样的保护参数调整，灵活性好；保护响应灵敏度高，动作时间固定，且受环境影响小；对整机功耗和寿命不会产生明显影响；故障移除后，输出自动恢复，保护效果好。

主权项：1.一种打嗝式的保护电路设备的保护方法，其特征在于，所述打嗝式的保护电路设备包括：具有保护用电流采样电阻与保护开关的主回路；主回路与包含有二极管、晶体管开关与电容的保护电路电连接，保护电路用于主回路的过流或过压保护；主回路包括依次串接的电压源VS1、保护用电流采样电阻R3、保护开关T1与负载RL；电压源VS1用于产生输入主回路的电平信号，电压源VS1与保护用电流采样电阻R3的一端电连接，保护用电流采样电阻R3与保护开关T1的源极电连接，保护开关T1的漏极与负载RL电连接，保护开关T1的漏极的输出到负载RL的电信号就是对外输出的高边信号；保护电路包括晶体管开关T2、电容C1与二极管一SD3；电压源VS1与晶体管开关T2的发射极电连接，晶体管开关T2的基极与电容C1的左侧电连接，晶体管开关T2的集电极与保护开关T1的栅极电连接，电容C1的右侧、保护开关T1的漏极与二极管一SD3的正极电连接，二极管一SD3的负极与负载RL电连接；保护电路还包括回路形成电路，回路形成电路包括电阻四R5与二极管二SD1，电阻四R5的一端与晶体管开关T2的基极电连接，电阻四R5的另一端与二极管二SD1的正极电连接，二极管二SD1的负极与保护开关T1的源极电连接；保护电路还包括二极管三SD2与电阻五R6，电阻五R6的一端与二极管三SD2的负极电连接在二极管二SD1与电阻四R5的一端，电阻五R6的另一端与二极管三SD2的正极电连接在电容C1的左侧，所述保护方法包括：在打嗝式的保护电路设备初始时，也就是电容C1上没有电荷时，晶体管开关T2导通，电容C1就通过充电路径充电，电容C1充电结束后，晶体管开关T2截止，保护开关T1导通；如果主回路出现过流或短路时，晶体管开关T2的集电极的电压VS比电容C1左侧的电压VC高，电容C1就依次通过二极管三SD2与二极管二SD1放电，直至电容C1左侧的电压VC与二极管二SD1负极的电压V1持平，此时保护开关T1截止，然后电容C1继续充电；如果主回路未出现过流或短路时，电容C1就放电，在放电期间，如果主回路出现过流或短路时，保护开关T1再次截止，电容C1就再次充电；在放电期间，如果主回路始终未出现过流或短路时，电容C1就放电干净，然后电容C1也不充电。

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