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多谱段TDICMOS的电荷转移方法 

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申请/专利权人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

摘要:本发明涉及TDICMOS探测器成像技术领域,尤其涉及一种多谱段TDICMOS的电荷转移方法,包括如下步骤:S1、确定对图像产生干扰的敏感区域;S2、比较每个敏感区域两侧未使用的非敏感区域的宽度,将每个敏感区域中的垂直电荷转移信号的跳变沿均匀分配到相对更宽的未使用的非敏感区域中;S13、再对非敏感区域进行均匀电荷转移。本发明对于垂直方向的电荷转移在扣除对图像产生干扰的敏感区域后,剩余区域尽可能进行均匀的电荷转移,保证在获得高电荷转移动态传递函数时不降低满阱电荷相关的信噪比、动态范围等指标,同时通过避免电荷转移和谱段间的相互干扰提高输出图像时域和空域的均匀性。

主权项:1.一种多谱段TDICMOS的电荷转移方法,其特征在于,包括:确定对图像产生干扰的敏感区域,比较每个敏感区域两侧未使用的非敏感区域的宽度,将每个敏感区域中的垂直电荷转移信号的跳变沿均匀分配到相对更宽的未使用的非敏感区域中,再对非敏感区域进行均匀电荷转移;敏感区域的确定方式如下:对于全色P谱的垂直电荷转移信号,根据P谱图像数据读出时受到P谱垂直电荷转移信号的跳变沿引起的电磁变化所影响的敏感时间区段设置P谱敏感区域,P谱敏感区域为敏感时间区段的数量;对于多光谱B谱的垂直电荷转移信号,根据P谱图像数据读出时受到B谱垂直电荷转移信号的跳变沿引起的电磁变化所影响的敏感时间区段和B谱图像数据读出时受到B谱垂直电荷转移信号的跳变沿引起的电磁变化所影响的敏感时间区段设置B谱敏感区域,B谱敏感区域的数量通过下式计算:r=w+u*o;式中,r为B谱敏感区域的数量,w为单个行周期内B谱图像数据读出时受到B谱垂直电荷转移信号的跳变沿引起的电磁变化所影响的敏感时间区段的数量;o为一个多光谱B谱行周期所对应的全色P谱行周期数量;u为单个行周期内P谱图像数据读出时受到B谱垂直电荷转移信号的跳变沿引起的电磁变化所影响的敏感时间区段数量。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 多谱段TDICMOS的电荷转移方法

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