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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明适用于半导体技术领域，公开了一种基于总剂量和强电磁脉冲耦合的FDSOI器件仿真方法，包括：基于第一电学特性文件和第一物理特性文件，确定FDSOI器件；对FDSOI器件进行强电磁脉冲仿真，获得第一器件烧毁时间；对FDSOI器件进行总剂量仿真，得到总剂量仿真结果；根据总剂量仿真结果，确定更新后的FDSOI器件；对更新后的FDSOI器件进行强电磁脉冲仿真，获得第二器件烧毁时间；通过比对第一器件烧毁时间和第二器件烧毁时间，确定总剂量和强电磁脉冲耦合对FDSOI器件的影响。通过这种方式，可以准确获得空间中器件真实的抗电磁效应能力，从而精确获得空间中的器件的使用寿命，提高了器件的可靠性。
主权项：1.一种基于总剂量和强电磁脉冲耦合的FDSOI器件仿真方法，其特征在于，所述方法包括：基于第一电学特性文件和第一物理特性文件，确定所述FDSOI器件；其中，所述第一电学特性文件用于描述所述FDSOI器件内部的初始电荷分布，所述第一物理特性文件用于描述所述FDSOI器件的初始三维模型参数；对所述FDSOI器件进行强电磁脉冲仿真，获得第一器件烧毁时间；对所述FDSOI器件进行总剂量仿真，得到总剂量仿真结果；根据所述总剂量仿真结果，确定更新后的FDSOI器件；对所述更新后的FDSOI器件进行强电磁脉冲仿真，获得第二器件烧毁时间；通过比对所述第一器件烧毁时间和所述第二器件烧毁时间，确定总剂量和强电磁脉冲耦合对所述FDSOI器件的影响。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 基于总剂量和强电磁脉冲耦合的FDSOI仿真方法
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