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MTJ器件及其制作方法以及MRAM 

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申请/专利权人:广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子(广州)有限责任公司

摘要:本发明提供了一种MTJ器件及其制作方法以及MRAM,该MTJ器件包括:衬底;设置在所述衬底上的叠层结构,所述叠层结构具有多层依次层叠的功能层;所述叠层结构包括:第一部分MTJ、第二部分MTJ和第三部分MTJ;所述第一部分MTJ中任一所述功能层的延伸方向与所述第三部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行,且垂直于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向;所述第一部分MTJ中任一所述功能层与所述第三部分MTJ中同一所述功能层位于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的两侧。应用本发明技术方案,在提高集成度的同时,提高了器件存储性能以及可靠性。

主权项:1.一种MTJ器件,其特征在于,包括:衬底;设置在所述衬底上的叠层结构,所述叠层结构具有多层依次层叠的功能层;所述叠层结构包括:第一部分MTJ、第二部分MTJ和第三部分MTJ;所述第一部分MTJ中任一所述功能层的延伸方向与所述第三部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向平行,且垂直于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的延伸方向;所述第一部分MTJ中任一所述功能层与所述第三部分MTJ中同一所述功能层位于所述第二部分MTJ中同一所述功能层的两侧;所述衬底设置所述层叠结构的表面为第一表面,所述第一表面包括第一区域和第二区域;所述第一区域具有第一绝缘介质层;所述第三部分MTJ位于所述第二区域;在预设表面依次层叠设置有所述层叠结构的各个功能层;其中,所述预设表面包括:所述第二区域、所述第一绝缘介质层背离所述第一区域的表面以及所述第一绝缘介质层靠近所述第二区域的侧面;三部分MTJ呈“Z”型结构;所述多层依次层叠的功能层包括:设置于所述预设表面上的第一电极层;设置于所述第一电极功能层背离所述预设表面一侧的参考层;设置于所述参考层背离所述第一电极功能层一侧的隧道势垒层;设置于所述隧道势垒层背离所述参考层一侧的自由层;设置于所述自由层背离所述隧道势垒层一侧的第二电极层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 MTJ器件及其制作方法以及MRAM

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