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申请/专利权人：南京信息工程大学
摘要：本发明属于量子点材料领域，具体涉及一种双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子点及其制备方法；所述制备方法包括下述步骤：S1、将量子点加入至混合有机溶液中搅拌得到量子点溶液；S2、向量子点溶液中加入硅源溶液,搅拌直至沉淀凝絮得到混合物一；S3、对混合物一进行离心处理收集沉淀物，使用有机溶剂对沉淀物多次洗涤，再对洗涤后的沉淀物进行真空冷冻和干燥处理得到QDs@SiO2粉末；S4、将QDs@SiO2粉末粉末样品通过筛网进行筛选，除去较大的结块样品，将筛选后的QDs@SiO2粉末加入原子层沉积反应器中，将三甲基铝作为Al2O3的前驱体，并用N2作为载气进行吹扫，使得QDs@SiO2粉末均匀涂层，形成致密的Al2O3保护膜，最终得到双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子；所述原子层沉积的温度为60℃‑90℃，且循环次数为50‑100次。
主权项：1.一种双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、将量子点加入至混合有机溶液中搅拌得到量子点溶液；S2、向量子点溶液中加入硅源溶液,搅拌直至沉淀凝絮得到混合物一；S3、对混合物一进行离心处理收集沉淀物，使用有机溶剂对沉淀物多次洗涤，再对洗涤后的沉淀物进行真空冷冻和干燥处理得到QDs@SiO2粉末；S4、将QDs@SiO2粉末粉末样品通过筛网进行筛选，除去较大的结块样品，将筛选后的QDs@SiO2粉末加入原子层沉积反应器中，将三甲基铝作为Al2O3的前驱体，并用N2作为载气进行吹扫，使得QDs@SiO2粉末均匀涂层，形成致密的Al2O3保护膜，最终得到双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子；所述原子层沉积的温度为60℃-90℃，且循环次数为50-100次。
全文数据：
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百度查询： 南京信息工程大学 一种双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子点及其制备方法
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