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申请/专利权人：温州大学新材料与产业技术研究院
摘要：本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维Cs2SnI6晶体材料的化学气相沉积制备方法及其应用。该制备方法具体为：将碘化铯和二碘化锡混合获得前驱体，将云母衬底倒扣在前驱体粉末之上，但不接触粉末。然后在惰性气体中将前驱体置于中心温区前端15厘米处对其加热生成Cs2SnI6晶体材料，从而在位于前驱体上方的云母衬底上进行沉积，形成二维Cs2SnI6晶体材料。利用本发明方法，制备了高质量的二维Cs2SnI6单晶，拓展了新的二维Cs2SnI6晶体的合成方法，所得产物晶面平整、形貌均一、元素分布均匀，解决了传统铅基钙钛矿有毒及不稳定的缺点，便于钙钛矿的实际应用及大规模生产。
主权项：1.一种二维Cs2SnI6晶体的化学气相沉积制备方法，其特征在于，该制备方法具体步骤为：S1：选取反应容器，所述反应容器分为上游沉积区、中心温区和下游区域，将碘化铯和二碘化锡充分混合获得前驱体粉末，将所述前驱体粉末均匀铺展置于所述上游沉积区，将云母衬底倒扣在所述前驱体粉末上方，但不接触粉末；S2：在惰性气体中，采用快速升温的方法将所述前驱体置于中心温区加热；S3：在所述上游沉积区中云母衬底上进行沉积，在保温时间内利用前驱体蒸汽反应形成所述二维Cs2SnI6晶体材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 温州大学新材料与产业技术研究院 一种二维Cs2SnI6晶体的化学气相沉积制备方法及其应用
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