买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明公开了一种本发明FDSOIMOSFET的源漏外延层的制造方法，包括：步骤一、在FDSOI衬底上形成浅沟槽隔离，浅沟槽隔离会使有源区的边缘处的顶部半导体层损耗。步骤二、打开MOSFET的源漏区的形成区域。步骤三、进行第一次外延生长形成第一纯硅外延层，纯硅结构减少第一次外延生长的刻蚀效应并从而实现对顶部半导体层的损耗进行修复。步骤四、进行第一次刻蚀工艺以去除第一次外延生长中形成的多晶硅颗粒。步骤五、进行外延生长在第一纯硅外延层表面依次形成第二源漏外延籽晶层、第三源漏外延主体层和第四源漏外延盖帽层并叠加形成源漏外延层。本发明能防止源漏外延层缩小并从而提升器件性能。

主权项：1.一种FDSOIMOSFET的源漏外延层的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供FDSOI衬底，所述FDSOI衬底包括底部半导体层、绝缘介质埋层和顶部半导体层，所述绝缘介质埋层位于所述底部半导体层和所述顶部半导体层之间；在所述FDSOI衬底上形成浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离定义出有源区，所述浅沟槽隔离会使所述有源区的边缘处的所述顶部半导体层损耗；步骤二、打开MOSFET的源漏区的形成区域；步骤三、进行第一次外延生长形成第一纯硅外延层，在所述MOSFET的源漏区的形成区域，所述第一纯硅外延层叠加在所述顶部半导体层的表面上；所述第一纯硅外延层为非掺杂的纯硅结构，所述纯硅结构减少所述第一次外延生长的刻蚀效应并从而实现对所述顶部半导体层的损耗进行修复，所述第一次外延生长的刻蚀效应的减少同时在所述顶部半导体层外部的所述浅沟槽隔离表面上产生多晶硅颗粒；步骤四、进行第一次刻蚀工艺以去除所述多晶硅颗粒；步骤五、进行外延生长依次形成第二源漏外延籽晶层、第三源漏外延主体层和第四源漏外延盖帽层，由所述第一纯硅外延层、所述第二源漏外延籽晶层、所述第三源漏外延主体层和所述第四源漏外延盖帽层叠加形成源漏外延层；所述第二源漏外延籽晶层形成在所述第一纯硅外延层的表面，利用所述第一纯硅外延层对所述顶部半导体层的损耗进行了修复的特点，使所述第二源漏外延籽晶层在所述有源区的边缘处连续并从而使所述源漏外延层在所述有源区的边缘处连续。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 FDSOI MOSFET的源漏外延层的制造方法