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申请/专利权人：格罗方德半导体公司
摘要：本发明涉及用于不具有钛衬垫的MOL互连的装置。揭示了数种方法、设备及系统用于制造半导体装置，其包含半导体基板；在该半导体基板上方的氧化物层；设置于该氧化物层内的含钨的第一金属组件；在该氧化物层上方的层间电介质ILD，其中，该层间电介质包含沟槽，以及该沟槽的底部包含该第一金属组件的顶部的至少一部分；设置于该沟槽的侧壁及底部上的阻障材料；以及设置于该沟槽中的第二金属组件。
主权项：1.一种半导体装置，包含：半导体基板；氧化物层，在该半导体基板上方；第一金属组件，包含钨，设置于该氧化物层内，其中，该第一金属组件的顶部的至少一部分没有电阻性钨基材料；在该半导体基板上的栅极以及紧邻该栅极而设置于该半导体基板中的源极漏极区，其中，该第一金属组件在该源极漏极区上；层间电介质，在该氧化物层上方，其中，该层间电介质包含沟槽，以及该沟槽的底部包含该第一金属组件的该顶部的至少该部分；阻障材料，沉积于该沟槽的侧壁及该底部上；第二金属组件，设置于该沟槽中；以及电阻性钨基材料，在该第一金属组件上，并且邻接该阻障材料和该氧化物层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格罗方德半导体公司 用于不具有钛衬垫的MOL互连的装置
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