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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种具有低反向恢复电荷的AC‑SJMOS及制备方法，具有低反向恢复电荷的AC‑SJMOS包括栅极扩展结构，其中栅极扩展结构包括第一栅极、第一N柱、P+层以及第一衬底。第一衬底位于漏极上方，并与漏极和P+层邻接；P+层位于第一衬底和第一N柱之间，并与第一N柱邻接；第一N柱位于第一栅极和P+层之间，并与第一栅极邻接；第一栅极位于N柱上方。本发明提供的具有低反向恢复电荷的AC‑SJMOS在传统的SJMOS基础上设置栅极扩展结构，减少了P柱的数量，进而减少了反向导通时在P柱中积累的电子，减少了反向恢复电荷，优化了反向恢复特性，使得器件的反向恢复电流更小，降低了器件的功耗。
主权项：1.一种具有低反向恢复电荷的AC-SJMOS，其特征在于，包括：栅极扩展结构、氧化层、第二栅极、源极、第二N柱、P柱、第二衬底、漏极、N+区和体区；所述栅极扩展结构从上至下依次包括第一栅极、第一N柱、P+层以及第一衬底；所述第一衬底位于漏极上方，并与所述漏极和所述P+层邻接；所述第一衬底为N-衬底；所述P+层位于所述第一衬底和所述第一N柱之间，并与所述第一N柱邻接；所述第一N柱位于所述第一栅极和所述P+层之间，并与所述第一栅极邻接；所述第一栅极位于所述第一N柱上方；所述第一N柱的掺杂浓度为1*1015-5*1015cm-3；所述第一N柱的宽度为2-6微米；所述氧化层位于所述栅极扩展结构与所述第二N柱、所述第二衬底之间，并与所述栅极扩展结构、所述第二N柱和所述第二衬底邻接；所述漏极位于所述第一衬底和所述第二衬底下方；所述第二衬底位于所述第二N柱和所述P柱下方，所述第二衬底为N+衬底；所述第二N柱位于所述第二栅极下方；所述P柱位于所述源极下方；所述N+区位于所述源极下方；所述体区位于所述第二栅极和所述源极下方；所述源极位于所述N+区和所述体区上方；所述第二栅极位于所述N柱、所述N+区和所述体区上方。
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权利要求：
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