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申请/专利权人：上海交通大学

摘要：本发明公开了一种大樱桃砧木克雷姆斯克5号组织培养快速繁殖方法，该方法以0.1％的HgCl2溶液进行灭菌处理，采用WPM+6‑BA0.2mgL+IBA0.02mgL+蔗糖30gL+琼脂6.5gL作为初代培养基，采用WPM+6‑BA0.3mgL+IBA0.03mgL+蔗糖30gL+琼脂6.5gL增殖培养基，采用WPM+0.05mgLIAA+蔗糖30gL+琼脂6.5gL生根培养基，最后以机质和蛭石为介质增强根系，大大提高了移栽存活率。

主权项：1.一种大樱桃砧木克雷姆斯克5号组织培养快速繁殖方法，其特征在于包括如下步骤：1外植体的选择选取4月初克雷姆斯克5号樱桃树的新稍或者带腋芽的未木质茎段，并将茎段剪切成带芽的3～5cm小段，并将其存放在温度为4℃环境中；采用洗洁精溶液对带芽的小段浸泡8min，然后采用纱布将浸泡后的小段包覆后在流动水下冲洗5min，然后再转移到无菌环境中，采用0.1％的HgCl2溶液振荡8min，并采用无菌水冲洗3次后获得外植体；2初代培养将外植体垂直接入初代培养基WPM+6-BA0.2mgL+IBA0.02mgL+蔗糖30gL+琼脂6.5gL中，每瓶接种1株，然后放入培养室中进行培养，培养条件温度20～26℃，每天光照10～12小时和光照强度为800～1000lx的条件下培养4周，获取分化苗；3继代培养选取健康、生长良好的初代组分化苗，剪切后接种到增殖培养基WPM+6-BA0.3mgL+IBA0.03mgL+蔗糖30gL+琼脂6.5gL上进行继代增殖，每瓶接种1株；然后放入培养室中进行培养，培养条件为温度20～26℃，每天光照10～12小时和光照强度为800～1000lx，培养4周，获取继代苗；4生根培养选取高于3cm且健壮的继代苗，由茎基部剪切后接种到生根培养基WPM+0.05mgLIAA+蔗糖30gL+琼脂6.5gL上进行生根培养，每瓶接种1株；然后放入培养室中进行培养，培养条件温度20～26℃，每天光照10～12小时和光照强度为800～1000lx的条件下培养3周，获培苗；5炼苗移栽将培苗的培养基转移到自然光环境下，先进行封闭炼苗，自然光照射下3d，然后继续开放炼苗3d；炼苗完成后进行移栽；用镊子将生根苗从培养瓶中取出，用自来水将其根部的培养基冲洗干净，移入已混好有机质:蛭石＝1:1基质的苗盘，浇足水，喷施多菌灵，转入驯化室培养30d，而后选择健壮的移栽苗转至温室土壤中栽种。

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