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申请/专利权人：北京大学

摘要：本发明公开了一种基于SOI工艺的斩波仪表放大器电路,属于集成电路领域。本发明包括斩波调制开关和运算放大器，所述斩波调制开关由SOINMOS器件和SOIPMOS器件组成，本发明采用部分耗尽SOI器件进行MOS器件的制备，容易调整MOS器件的阈值电压，工艺可操作性高，同时部分耗尽SOI器件在抑制短沟效应和抑制沟道泄漏电流方面有更卓越的表现，在实现多阈值电压和制作体接触方面也体现了充分的便利性。且SOICMOS的工艺步骤相比体硅CMOS的工艺步骤简单，提高电路的稳定增益和精度。

主权项：1.一种基于SOI工艺的斩波仪表放大器，其特征在于，包括第一斩波调制开关、第一运算放大器、第二斩波调制开关、第三斩波调制开关、第二运算放大器、第四斩波调制开关、第五斩波调制开关、第三运算放大器和第六斩波调制开关，第一斩波调制开关和第二斩波调制开关分别对第一运算放大器的输入级和输出级进行斩波调制；所述第三斩波调制开关和第四斩波调制开关分别对第二运算放大器的输入级和输出级进行斩波调制；所述的第五斩波调制开关和第六斩波调制开关分别对第三运算放大器的输入级和输出级进行斩波调制，所述斩波仪表放大器信号的流向为：输入信号经过第一斩波调制开关和第三斩波调制开关调制完成后分别进入第一运算放大器和第二运算放大器，第一运算放大器和第二运算放大器对调制后的信号进行放大，第二斩波调制开关和第四斩波调制开关分别对放大后的信号进行解调，解调后的信号再经过第五斩波调制开关输入到第三运算放大器再次进行调制，调制后的信号经过放大后通过第六斩波调制开关进行解调，得到经过两次放大的输出信号，所述斩波调制开关由SOINMOS器件和SOIPMOS器件组成，SOINMOS器件和SOIPMOS器件都制备在器件层中，并由氧化层隔开，SOINMOS器件由N+型源区，N+型漏区，P型体区，栅极结构和栅氧化层组成；SOIPMOS器件由P+型源区，P+型漏区，N型体区，栅极结构和栅氧化层组成，其中，SOINMOS器件的N+型源区和SOIPMOS器件的P+型源区连接，SOINMOS器件的N+型漏区和SOIPMOS器件的P+型漏区连接，SOINMOS器件的P型体区与SOINMOS器件的N+型源区连接，SOIPMOS器件的N型体区与SOIPMOS器件的P+型源区连接，所述第一运算放大器采用两级结构，包括一个5管差分结构和一个共源放大器，所述第二运算放大器的电路结构和第一运算放大器的电路结构相同，所述第三运算放大器采用两级结构，包括一个全差分结构和一个共源放大器。

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百度查询： 北京大学 一种基于SOI工艺的斩波仪表放大器