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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明提供一种具有改良的饱和汲极电流的晶体管及用于制造此类晶体管的方法。闸极以纵向沟渠及在纵向沟渠下方的多个横向沟渠的形状形成。所得双凹槽结构增加闸极的表面积，此准许额外电荷载子且增加晶体管的饱和汲极电流。此类晶体管可用于高电压及中电压应用中，诸如显示驱动器集成电路中。
主权项：1.一种用于增加晶体管的饱和汲极电流的方法，其特征在于，包括：蚀刻衬底以形成限定闸极区的纵向沟渠；蚀刻所述纵向沟渠以在所述纵向沟渠中形成多个横向沟渠，其中所述纵向沟渠及所述多个横向沟渠一起限定闸极体积，且其中所述横向沟渠在源极端子与汲极端子之间延伸；在所述闸极体积中形成闸极氧化物层；以及在所述闸极体积中沈积闸极材料以形成闸极端子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 显示驱动器集成电路以及饱和汲极电流的方法
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