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通过重复使用驱动器电流提高数字功率放大器效率 

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申请/专利权人:瑞萨斯设计奥地利公司

摘要:一种用RFID频率的正弦输出电流驱动RFID天线4的差分数字功率放大器1,该差分数字功率放大器1包括:数字控制部DCS,用于将数字波形位10输出到第一组驱动器块6和第二组驱动器块6,其中第一源极跟随器晶体管16的源极触点21和第二源极跟随器晶体管22的源极触点26之间的开关27将这些源极触点21,26短路,从而通过用于加载卸载漏极扩展NMOS晶体管7的栅极‑源极电容Cgs的电荷载流子来卸载加载漏极扩展PMOS晶体管5的栅极‑源极电容Cgs,以减小在漏极扩展PMOS晶体管5和漏极扩展NMOS晶体管7的栅极触点12,14处所需的驱动器电流。

主权项:1.一种差分数字功率放大器1,其被配置成用RFID频率的正弦输出电流来驱动RFID天线4,所述差分数字功率放大器包括:数字控制部DCS,其被配置成将数字波形位10输出到第一组驱动器块6和第二组驱动器块6,其中第一和第二组驱动器块6中的每一组包括N个并行驱动器块6,其中第一和第二组驱动器块6中的每一组被配置成为所述RFID天线4提供一个公共输出触点2,3,其特征在于,第一和第二组驱动器块6中的每个驱动器块6包括:第一电平移位器8和第二电平移位器9,其被配置成对由所述数字控制部DCS提供的所述数字波形位10中的相应波形位的电压进行移位,第一喇叭形缓冲器11,其连接到所述第一电平移位器8的输出,被配置成在所述第一喇叭形缓冲器11的输出处提供具有在漏极扩展PMOS晶体管5的栅极触点12处所需的RFID频率的驱动器电流,该驱动器电流用于加载卸载所述漏极扩展PMOS晶体管5的栅极-源极电容Cgs,第二喇叭形缓冲器13,其连接到所述第二电平移位器9的输出,被配置成在所述第二喇叭形缓冲器13的输出处提供具有在漏极扩展NMOS晶体管7的栅极触点14处所需的RFID频率的驱动器电流,该驱动器电流用于加载卸载所述漏极扩展NMOS晶体管7的栅极-源极电容Cgs,并且所述差分数字功率放大器1包括内部电源15,所述内部电源15被配置成为第一和第二组驱动器块6中的驱动器块供电,所述内部电源15包括:第一源极跟随器晶体管16,其漏极触点连接到电源电压VDPA的电源电压触点17,并且其栅极触点24经由第一电压源19连接到电源电压VDPA的接地触点20,所述第一源极跟随器晶体管16被配置成在其源极触点21处提供第二喇叭形缓冲器电源电压VDNMOS,以供应给所述驱动器块6的所述第二喇叭形缓冲器13和所述第二电平移位器9,和第二源极跟随器晶体管22,其漏极触点连接到所述电源电压VDPA的接地触点20,并且其栅极触点24经由第二电压源25连接到所述电源电压VDEA的电源电压触点17,所述第二源极跟随器晶体管22被配置成在其源极触点21处提供第一喇叭形缓冲器电源电压VSPMOS,以供应给所述驱动器块6的所述第一喇叭形缓冲器11和所述第一电平移位器8,以及在所述第一源极跟随器晶体管16的所述源极触点21和所述第二源极跟随器晶体管22的所述源极触点26之间的开关27,所述开关27被配置成将这些源极触点21,26短路,以利用用于加载卸载第一和第二组驱动器块6中的驱动器块的漏极扩展NMOS晶体管7的栅极-源极电容Cgs的电荷载流子来卸载加载第一和第二组驱动器块6中的驱动器块的漏极扩展PMOS晶体管5的栅极-源极电容Cgs,以减小所述PMOS晶体管5和NMOS晶体管7的栅极触点12,14处所需的驱动器电流,所述开关27被配置成对于比最小电压高的电源电压VDPA闭合,或者在所述第一源极跟随器晶体管16的所述源极触点21和所述第二源极跟随器晶体管22的所述源极触点26之间的无源二极管或有源二极管,所述无源二极管或有源二极管被配置成,如果电源电压VDPA高于第二最小电压,则将这些源极触点21,26短路,以利用用于加载卸载第一和第二组驱动器块6中的驱动器块的漏极扩展NMOS晶体管7的栅极-源极电容Cgs的电荷载流子来卸载加载第一和第二组驱动器块6中的驱动器块的漏极扩展PMOS晶体管5的栅极-源极电容Cgs,以减小所述PMOS晶体管5和NMOS晶体管7的栅极触点12,14处所需的驱动器电流。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 瑞萨斯设计奥地利公司 通过重复使用驱动器电流提高数字功率放大器效率

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