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申请/专利权人：上海芯炽科技集团有限公司
摘要：本发明公开一种低功耗施密特触发器结构，属于集成电路领域。第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管构成施密特反相器输入级；第四NMOS管和第四PMOS管构成反相器输出级。本发明在只改变连接的情况下，减小了施密特触发器的动态功耗；将反相器输出级中的NMOS管的栅端与PMOS管的栅端分开连接到不同信号，在不影响施密特触发器的逻辑功能和翻转阈值情况下，实现更低的功耗。在没有增加电路复杂度的同时降低了施密特触发器的动态功耗，为低功耗应用提供显著优势。
主权项：1.一种低功耗施密特触发器结构，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；第一PMOS管的栅端、第二PMOS管的栅端、第一NMOS管的栅端和第二NMOS管的栅端均连接输入信号Vin；第一PMOS管的源端连接电源电压Vdd，第一PMOS管的漏端连接第二PMOS管的源端；第二PMOS管的漏端连接第二NMOS管的漏端，第二NMOS管的源端连接第一NMOS管的漏端，第一NMOS管的源端接地；第三PMOS管的源端同时连接第一PMOS管的漏端和第二PMOS管的源端，第三PMOS管的栅端同时连接第二PMOS管的漏端和第二NMOS管的漏端，第三PMOS管的漏端接地；第三NMOS管的源端同时连接第二NMOS管的源端和第一NMOS管的漏端，第三NMOS管的栅端同时连接第二PMOS管的漏端和第二NMOS管的漏端，第三NMOS管的漏端接电源电压Vdd；第四PMOS管的源端接电源电压Vdd，第四PMOS管的栅端同时接第一PMOS管的漏端、第二PMOS管的源端和第三PMOS管的源端，第四PMOS管的漏端连接第四NMOS管的漏端，第四NMOS管的栅端同时连接第一NMOS管的漏端、第二NMOS管的源端和第三NMOS管的源端，第四NMOS管的源端接地。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海芯炽科技集团有限公司 一种低功耗施密特触发器结构
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