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申请/专利权人：安徽旭合新能源科技有限公司

摘要：本发明公开了一种增强背面钝化的N型电池的制备方法，涉及晶体硅太阳电池制造技术领域，所述步骤包括如下：S1：碱制绒清洗、正面硼发射极制备，S2：去BSG清洗，使用链式湿法清洗机，S3：正面AlOx沉积，S4：正面SiNx减反射膜沉积，S5：正面丝印烧结、退火，S6：正面掩膜沉积，本发明所提出的N型太阳电池制备方法，所制备的N型电池，背面是本征非晶硅层N型微晶硅层透明导电氧化物层，代替原来的隧穿氧化层N型多晶硅层，可以有效调控本征非晶硅和N型微晶硅薄膜内的氢含量，金属电极区域的饱和电流密度也能够降低到2fAcm2以下，饱和电流密度的降低，将有助于电池转换效率的提升，解决了目前的N型接触钝化电池的背面钝化效果欠佳的问题。

主权项：1.一种增强背面钝化的N型电池的制备方法，其特征在于：所述步骤包括如下：S1：碱制绒清洗、正面硼发射极制备，采用和目前N型TOPCon电池类似的常规工艺；正面硼发射极制备，可以是均匀硼发射极，也可以是选择性硼发射极；S2：去BSG清洗，使用链式湿法清洗机，待制样品的正面朝下，背面朝上；背面用水膜保护，正面和链式湿法清洗机的氢氟酸溶液接触；S3：正面AlOx沉积，采用和目前N型TOPCon电池类似的常规工艺，使用常规管式或者板式原子层沉积工艺，所沉积的AlOx厚度在1-10nm之间；S4：正面SiNx减反射膜沉积，采用板式等离子体增强化学气相沉积镀膜设备，工艺气体为硅烷、氨气和笑气，沉积温度在400-550℃之间；气源和等离子体源位于镀膜腔室下方；S5：正面丝印烧结、退火，采用和目前N型TOPCon电池类似的常规工艺，用来制备正面金属电极，同时提升氢钝化效果；S6：正面掩膜沉积，沉积的掩膜为SiOx薄膜，厚度在30nm-150nm之间；使用低温链式常压化学气相沉积设备或者低温板式等离子体增强化学气相沉积镀膜设备来制备，所用温度在170-250℃之间，工艺过程所需的时间小于10min，以降低正面金属电极受到的影响；S7：背面抛光清洗，采用链式碱抛光或者链式酸抛光工艺，所用设备为链式湿法清洗设备；待制样品的正面朝上，背面朝下；正面用水膜保护，背面和链式湿法清洗机的化学溶液接触；S8：背面本征非晶硅N型微晶硅沉积，采用低温板式等离子体化学气相沉积完成；所沉积的本征非晶硅薄膜为单层或者多层氢含量不同的非晶硅薄膜，所沉积的N型微晶硅薄膜，为磷杂质含量不同的多层薄膜；S9：背面透明导电氧化物薄膜沉积、背面金属化、退火，使用和目前N型异质结电池相类似的工艺完成。

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