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申请/专利权人：高通股份有限公司
申请日：2022-10-07
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118160093A
专利技术分类：.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的[2006.01]
专利摘要：一种IC，该IC包括第一组MOS晶体管，该第一组MOS晶体管被配置为具有公共第一晶体管源极漏极端子A、第一晶体管栅极和第一晶体管源极漏极端子B。此外，该IC包括耦合到该第一晶体管源极漏极端子A的第一多个互连件叠堆。该第一多个互连件叠堆中的每个互连件叠堆在该第一组MOS晶体管的至少一部分上沿第二方向延伸，并且包括连续的金属层互连件。此外，IC包括沿与第二方向正交的第一方向延伸的第一梳状互连件结构，其中梳齿在第一组MOS晶体管和第一多个互连件叠堆的至少一部分上沿第二方向延伸。第一梳状互连件结构耦合到第一多个互连件叠堆。
专利权项：1.一种集成电路IC，包括：第一组金属氧化物半导体MOS晶体管，所述第一组MOS晶体管被配置为具有公共第一晶体管源极漏极端子A、第一晶体管栅极和第一晶体管源极漏极端子B；第一多个互连件叠堆，所述第一多个互连件叠堆耦合到所述第一晶体管源极漏极端子A，所述第一多个互连件叠堆中的每个互连件叠堆在所述第一组MOS晶体管的至少一部分上沿第二方向延伸并且包括连续的金属层互连件；和第一梳状互连件结构，所述第一梳状互连件结构沿与所述第二方向正交的第一方向延伸，其中梳齿在所述第一组MOS晶体管和所述第一多个互连件叠堆的至少一部分上沿所述第二方向延伸，所述第一梳状互连件结构耦合到所述第一多个互连件叠堆。
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