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一种基于SOI封装的高灵敏度MEMS触觉传感器 

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申请/专利权人:杭州电子科技大学

摘要:本发明公开了一种基于SOI封装的高灵敏度MEMS触觉传感器。本发明包括SOI器件和SOI盖板。所述SOI器件包括三轴力检测单元和第一硅键合框;所述第一硅键合框作为整个SOI器件的封装支撑结构,并与上方的SOI盖板进行键合固定为整体。所述SOI盖板包括接口层和传递层;所述接口层包括多条金属导线和硅封装盖;所述传递层包括多个触觉凸台、多个硅垂直台和第二硅键合框;本发明通过SOI盖板的设计提升了封装机械坚固性并且降低了所需封装压力,降低了封装难度与成本。采用SOI封装技术减少了电路干扰,降低器件间的串扰效应并拥有良好的电气隔离,有助于提高MEMS触觉传感器的信噪比、灵敏度和稳定性。

主权项:1.一种基于SOI封装的高灵敏度MEMS触觉传感器,其特征在于:包括SOI器件和SOI盖板;所述SOI器件包括三轴力检测单元和第一硅键合框;所述第一硅键合框作为整个SOI器件的封装支撑结构,并与上方的所述SOI盖板进行键合固定为整体;所述SOI盖板包括接口层和传递层;所述接口层包括多条金属导线和硅封装盖;多条金属导线位于所述硅封装盖内部,金属导线的首端位于所述硅封装盖侧面,金属导线的末端与传递层上表面接触;所述传递层包括多个触觉凸台、多个硅垂直台和第二硅键合框;所述硅垂直台用于实现SOI器件与外界的电信号传递,所述触觉凸台用于实现应力信号的传递;所述的第二硅键合框作为SOI盖板的封装支撑结构,并与下方的所述SOI器件进行键合固定为整体。

全文数据:

权利要求:

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