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隧穿氧化层钝化接触电池 

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申请/专利权人:西安隆基乐叶光伏科技有限公司

摘要:本申请提供一种隧穿氧化层钝化接触电池,包括硅基底,以及在所述硅基底的一侧依次层叠设置的隧穿层、多晶硅层和金属电极,其中所述多晶硅层的边缘区域的平均厚度大于中心区域的平均厚度。本申请的隧穿氧化层钝化接触电池中的多晶硅层具有边缘厚中心薄的特点,进一步地基于该特点,相应的调整金属电极浆料的烧穿深度,使得金属电极嵌入多晶硅层的厚度与多晶硅层的厚度相适应,可以避免同样透墨下,中间较薄区域容易烧穿的现象,从而提高电池的钝化效果。

主权项:1.一种隧穿氧化层钝化接触电池,包括硅基底,以及在所述硅基底的一侧依次层叠设置的隧穿层、多晶硅层和金属电极,其中位于所述硅基底一侧的所述多晶硅层的边缘区域的平均厚度大于中心区域的平均厚度。

全文数据:

权利要求:

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