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申请/专利权人：电子科技大学

摘要：本发明提供一种高压阳极短路横向绝缘栅双极晶体管SA‑LIGBT的等效电路模型及仿真方法，包括：核心场效应管；核心三极管；第一漏端电阻，该电阻连接到核心场效应管的漏极且与第二漏端电阻串联；第二漏端电阻，该电阻与第一漏端电阻串联且该电阻第二端用作高压晶体管的集电极；核心三极管基极电阻，该电阻的一端连接到第一漏端电阻和第二漏端电阻串联的中点并且第二端连接到核心三极管的基极；核心三极管发射极电阻，该电阻的第一端连接到核心三极管的发射极并且第二端作为高压晶体管的集电极；发射极电阻，该电阻的一端连接到核心场效应管的源极且第二端用作高压晶体管的发射极。相比传统模型，本发明提高了SA‑LIGBT模型从MOS状态过渡到IGBT工作状态的精度。

主权项：1.一种阳极短路横向绝缘栅双极晶体管等效电路，其特征在于，包括：核心场效应晶体管（101）、核心双极晶体管（102）、第一漏端电阻（106）、第二漏端电阻（103）、核心双极晶体管发射极电阻（104）、核心双极晶体管基极电阻（105）、核心双极晶体管集电极电阻（107）和高压晶体管发射极电阻（108）；核心场效应晶体管（101）的电流电压特性采用BSIM4模型的参数进行拟合；核心双极晶体管（102）的电流电压特性采用葛谋-潘（GP）模型的参数进行拟合；所述核心场效应晶体管（101）的第一漏端电阻（106）的第一端连接到核心场效应晶体管（101）的漏极，所述第一漏端电阻（106）的第二端与核心场效应晶体管（101）的第二漏端电阻（103）串联；核心场效应晶体管（101）的第二漏端电阻（103）的第一端与所述核心场效应晶体管（101）的第一漏端电阻（106）的第二端相连，所述第二漏端电阻（103）的第二端作为高压晶体管的集电极；所述核心双极晶体管发射极电阻（104）的第一端连接到核心双极晶体管（102）的发射极，所述核心双极晶体管发射极电阻（104）的第二端连接到第二漏端电阻（103）的第二端作为高压晶体管的集电极；所述基极电阻（105）的第一端连接到所述第一漏端电阻（106）和所述第二漏端电阻（103）的连接处，所述基极电阻（105）的第二端连接到核心双极晶体管（102）的基极；所述集电极电阻（107）的第一端连接到核心双极晶体管（102）的集电极，所述集电极电阻（107）的第二端连接到核心场效应晶体管（101）的源极；所述高压晶体管发射极电阻（108）的第一端连接到核心场效应晶体管（101）的源极，所述高压晶体管发射极电阻（108）的第二端用作高压晶体管发射极。

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