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申请/专利权人：无锡硅动力微电子股份有限公司
摘要：本实用新型公开了一种带集成米勒钳位的增强型GaN器件。本实用新型结构包括衬底、势垒层、半导体层、中部隔离区域、第一侧端隔离区域和第二侧端隔离区域、栅极层，一侧的部分衬底、改为N型GaN层、P型GaN层、部分半导体层和第一侧端隔离区域构成主GaN功率器件，半导体层表面通过欧姆接触在位于第一侧端隔离区域和中部隔离区域之间形成第一漏端和第一源端，栅极层构成第一栅端；另一侧构成米勒钳位器件，半导体层表面通过欧姆接触在位于第二侧端隔离区域和中部隔离区域之间形成第二漏端、第二栅端和第二源端，第一栅端与第二源端相连，利用N型掺杂GaN层的特性降低器件低比导通电阻特性作为钳位管，提高米勒钳位结构的响应速度与器件性能。
主权项：1.一种带集成米勒钳位的增强型GaN器件，其特征在于，包括：衬底；势垒层，设置于所述衬底表面；半导体层，设置于所述势垒层表面；中部隔离区域，设置于所述半导体层中部区域且延伸至所述势垒层；第一侧端隔离区域和第二侧端隔离区域，分别设置于所述半导体层两侧端区域且延伸至所述势垒层；栅极层，设置于所述半导体层表面；其中，在所述中部隔离区域一侧的部分所述衬底、部分所述势垒层、部分所述半导体层和所述第一侧端隔离区域构成主GaN功率器件，所述半导体层表面通过欧姆接触在位于所述第一侧端隔离区域和所述中部隔离区域之间形成第一漏端和第一源端，所述栅极层构成第一栅端，所述第一漏端、第一源端和所述第一栅端构成所述主GaN功率器件的电极；在所述中部隔离区域另一侧的部分所述衬底、部分所述势垒层、部分所述半导体层和所述第二侧端隔离区域构成米勒钳位器件，所述半导体层表面通过欧姆接触在位于所述第二侧端隔离区域和所述中部隔离区域之间形成第二漏端、第二栅端和第二源端，所述第二漏端、第二栅端和第二源端构成所述米勒钳位器件的电极，所述第一栅端与所述第二源端相连；所述第一栅端的栅极层采用P型掺杂GaN层，所述第二源端的源极层采用N型掺杂GaN层。
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