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申请/专利权人：西安电子科技大学;广东盛华德通讯科技股份有限公司
摘要：使用人工磁导体结构的宽带低剖面交叉偶极子圆极化天线，包括从上至下依次设置的上层介质基板、下层介质基板及金属地板；下层介质基板和金属地板之间加载空气腔，上层介质基板的上表面印制有沿y轴放置的第一偶极子的其中一臂及沿x轴放置的第二偶极子的其中一臂，两臂之间印制有第一相位延迟线；上层介质基板的下表面印制有沿y轴放置的第一偶极子另外一臂及沿x轴放置的第二偶极子的另外一臂，以及印制连接两臂的第二相位延迟线；上层介质基板的上表面印制有寄生加载梯形贴片；本发明下层介质基板的上表面印制有新型超表面结构，通过上层交叉偶极子天线实现圆极化，下层人工磁导体结构可以改变天线后向辐射波反射的相位，从而在保证前向辐射增益的同时降低天线剖面；本发明用于解决现有技术中剖面高、阻抗带宽和3dB轴比带宽窄的技术问题，可应用于微波通讯。
主权项：1.一种使用人工磁导体结构的宽带低剖面交叉偶极子圆极化天线，包括从上至下依次设置的上层介质基板1、下层介质基板2及金属地板4；其特征在于：所述下层介质基板2和金属地板4之间加载空气腔3，上层介质基板1的上表面印制有沿y轴放置的第一偶极子5的其中一臂及沿x轴放置的第二偶极子6的其中一臂，以及印制连接上层介质基板1上表面第一偶极子5的两臂的90°第一相位延迟线7；上层介质基板1的下表面印制有沿y轴放置的第一偶极子5另外一臂及沿x轴放置的第二偶极子6的另外一臂，以及印制连接上层介质基板1下表面的第二偶极子6的两臂的90°第二相位延迟线8；上层介质基板1的上表面印制有寄生加载梯形贴片9；所述下层介质基板2的上表面印制有超表面结构10。
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百度查询： 西安电子科技大学 广东盛华德通讯科技股份有限公司 使用人工磁导体结构的宽带低剖面交叉偶极子圆极化天线
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