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薄膜晶体管 

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申请/专利权人:友达光电股份有限公司

摘要:本发明公开了一种薄膜晶体管,包括半导体层、栅绝缘层、栅极、第一端及第二端。半导体层具有依序排列的第一重掺杂区、第一轻掺杂区、第一本征区、第二轻掺杂区、第二本征区、第三轻掺杂区及第二重掺杂区。栅极包括第一导电图案及第二导电图案。第一导电图案具有第一部、第二部及开口部。第一导电图案的第一部遮蔽第一本征区。第一导电图案的第二部遮蔽第二本征区。第一导电图案的开口部重叠于第二轻掺杂区。第二导电图案覆盖第一导电图案。第二导电图案具有延伸至第一导电图案外且分别位于第一导电图案之相对两侧的第一部及第二部。第二导电图案的第一部及第二部分别遮蔽第一轻掺杂区及第三轻掺杂区。第一端及第二端分别电性连接至第一重掺杂区及第二重掺杂区。

主权项:1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:一半导体层,具有依序排列的一第一重掺杂区、一第一轻掺杂区、一第一本征区、一第二轻掺杂区、一第二本征区、一第三轻掺杂区及一第二重掺杂区;一栅绝缘层,设置于该半导体层上;一栅极,包括:一第一导电图案,设置于该栅绝缘层上,且具有一第一部、一第二部及一开口部,其中该第一导电图案的该第一部遮蔽该第一本征区,该第一导电图案的该第二部遮蔽该第二本征区,且该第一导电图案的该开口部重叠于该第二轻掺杂区;以及一第二导电图案,覆盖该第一导电图案,其中该第二导电图案具有延伸至该第一导电图案外且分别位于该第一导电图案之相对两侧的一第一部及一第二部,该第二导电图案的该第一部及该第二部分别遮蔽该第一轻掺杂区及该第三轻掺杂区;一第一端及一第二端,分别电性连接至该半导体层的该第一重掺杂区及该第二重掺杂区。

全文数据:

权利要求:

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