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申请/专利权人：晨宸辰科技有限公司
摘要：本申请提供了一种抑制XBAR谐振器杂散响应的结构，其包括压电基底层以及置于所述压电基底层之上的IDT层；所述压电基底层包含：第一通孔、第二通孔、第三通孔以及第四通孔；所述IDT层包括：第一汇流条、第二汇流条、第一电极、第二电极；所述第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、第一汇流条、第二汇流条、第一电极以及第二电极在所述XBAR谐振器中为周期结构。其中由周期性排列的第一通孔、第二通孔、第三通孔与第四通孔共同构成了高阻抗区域，够将逸出的能量反射回谐振区域，从而减小横向模态的产生，在减小XBAR谐振器杂散响应的同时，其机电耦合系数也保持不变。
主权项：1.一种抑制XBAR谐振器杂散响应的结构，其特征在于，设计XBAR谐振器，所述XBAR谐振器包含压电基底层以及置于所述压电基底层之上的IDT层；所述压电基底层包含：第一通孔、第二通孔、第三通孔以及第四通孔；所述IDT层包括：第一汇流条、第二汇流条、第一电极、第二电极；所述第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、第一汇流条、第二汇流条、第一电极以及第二电极在所述XBAR谐振器中为周期性结构，其周期长度与所述XBAR谐振器的周期长度相同；所述XBAR谐振器的周期长度为λ。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晨宸辰科技有限公司 一种抑制XBAR谐振器杂散响应的结构
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