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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种集成电路器件，包括：衬底，其具有由器件隔离沟槽限定的多个有源区；器件隔离结构，其包括蚀刻诱导膜并填充器件隔离沟槽，蚀刻诱导膜覆盖器件隔离沟槽底表面；字线沟槽，其与多个有源区和器件隔离结构相交并其在第一横向方向上延伸；栅极电介质膜，其覆盖字线沟槽的内壁；以及字线，其填充字线沟槽的位于栅极电介质膜上的部分，其中，多个有源区中的每个有源区包括在字线下方的鳍主体部分和从鳍主体部分向字线突出的鞍形鳍部分，并且蚀刻诱导膜通过字线沟槽被暴露。
主权项：1.一种集成电路器件，包括：衬底，其具有由器件隔离沟槽限定的多个有源区；器件隔离结构，其包括蚀刻诱导膜并填充所述器件隔离沟槽，所述蚀刻诱导膜覆盖所述器件隔离沟槽的底表面；字线沟槽，其与所述多个有源区和所述器件隔离结构相交并且在第一横向方向上延伸；栅极电介质膜，其覆盖所述字线沟槽的内壁；和字线，其填充所述字线沟槽的位于所述栅极电介质膜上的部分，其中，所述多个有源区中的每个有源区包括在所述字线下方的鳍主体部分和从所述鳍主体部分朝向所述字线突出的鞍形鳍部分，并且所述蚀刻诱导膜的至少一部分被所述字线沟槽暴露。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 集成电路器件及其制造方法
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