龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京大学
摘要：本申请提供一种垂直晶体管的制备方法及垂直晶体管，该方法包括：通过前道工艺，在衬底上形成一垂直晶体管；翻转衬底所在的晶圆，并对衬底进行减薄处理，直至达到预设厚度；在减薄处理后的衬底上的有源区刻蚀第一通孔，以暴露第一有源结构；在第一通孔内沉积金属材料，以形成第一有源结构对应的第一接触孔。通过本申请，可以使第一接触孔和第二接触孔分别设置在垂直晶体管的底部和顶部，有利于缩小第一有源结构的尺寸，进而达到缩小垂直晶体管尺寸的目标。
主权项：1.一种垂直晶体管的制备方法，其特征在于，包括：通过前道工艺，在衬底上形成一垂直晶体管；翻转所述衬底所在的晶圆，并对所述衬底进行减薄处理，直至达到预设厚度；在减薄处理后的衬底上的有源区刻蚀第一通孔，以暴露第一有源结构；在所述第一通孔内沉积金属材料，以形成所述第一有源结构对应的第一接触孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种垂直晶体管的制备方法及垂直晶体管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号