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申请/专利权人:ASMIP私人控股有限公司
摘要:本公开涉及在衬底上沉积包含硅、碳和氮的材料的方法。该方法包括在反应室中提供衬底,将材料前体以气相提供到反应室中,以及将由等离子体产生的活性物质提供到反应室中,以在衬底上形成包含硅、碳和氮的材料。在本公开中,材料前体包括含硅唑。本公开还涉及用于制造半导体器件的处理组件。
主权项:1.一种在衬底上沉积包含硅、碳和氮的材料的方法,该方法包括:在反应室中提供衬底;将材料前体以气相提供到反应室中;以及将由等离子体产生的活性物质提供到反应室中,以在衬底上形成包含硅、碳和氮的材料;其中,所述材料前体包括含硅唑。
全文数据:
权利要求:
百度查询: ASMIP私人控股有限公司 沉积硅基材料及其前体的方法
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