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申请/专利权人：天津工业大学
摘要：本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种具有弧形场板的氧化镓结型势垒肖特基二极管，其自下向上依次包括：阴极金属、重掺杂Ga2O3衬底、n型轻掺杂Ga2O3漂移层、p型NiO环、SiO2电介质和阳极金属；所述SiO2电介质位于二极管顶部阳极金属外圈，与阳极金属齐平，环形SiO2内侧为弧形结构场板；所述阳极金属由TiAu组成，阳极金属边沿呈圆弧状，用于缓解电场线的边缘集中效应；p型NiO沉积在漂移层表面，呈圆环状结构，横截面长度、厚度和间隔分别为L、D和W，其顶部与漂移层表面齐平，与Ga2O3形成耗尽区。本实用新型通过弧形场板和异质PN结相结合，缓解了电极边缘拥挤电场和漂移层表面较高的电场，降低了泄漏电流，提高击穿电压，从而提高功率品质因子。
主权项：1.一种具有弧形场板的氧化镓结型势垒肖特基二极管，其自下向上依次包括：阴极金属、重掺杂Ga2O3衬底、n型轻掺杂Ga2O3漂移层、p型NiO环、SiO2电介质和阳极金属；其特征在于：所述电介质SiO2位于二极管顶部阳极金属外圈，与阳极金属齐平，环形SiO2内侧通过刻蚀形成弧形结构场板；所述阳极金属由TiAu组成，边沿延伸至SiO2上方，所述阳极金属边沿呈圆弧状，用于缓解电场线的边缘集中效应；p型NiO位于漂移层表面，呈圆环状结构，横截面长度为L，厚度为D，宽度为W，其顶部与漂移层表面齐平，与Ga2O3形成耗尽区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津工业大学 一种具有弧形场板的氧化镓结型势垒肖特基二极管
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