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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种集成电路器件可以包括衬底，该衬底包括在第一水平方向上纵向地延伸的字线沟槽、沿着字线沟槽的内表面延伸的栅极电介质膜、位于字线沟槽的在栅极电介质膜上的下部部分中并且在第一水平方向上纵向地延伸的字线、以及位于字线沟槽的在字线上的上部部分中并且在第一水平方向上纵向地延伸的绝缘覆盖图案。该字线可以包括功函数控制导电插塞，该功函数控制导电插塞包括具有金属掺杂剂的导电金属氮化物，并且功函数控制导电插塞包括与绝缘覆盖图案的底表面接触的顶表面、与栅极电介质膜接触的侧壁、以及与单块层接触的底表面。
主权项：1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：衬底；字线，所述字线位于所述衬底中并且在第一水平方向上纵向地延伸；栅极电介质膜，所述栅极电介质膜在所述衬底与所述字线之间延伸；以及绝缘覆盖图案，所述绝缘覆盖图案位于所述衬底中和所述字线上，所述绝缘覆盖图案在所述第一水平方向上纵向地延伸，其中，所述字线包括功函数控制导电插塞，所述功函数控制导电插塞包括包含金属掺杂剂的导电金属氮化物，并且所述功函数控制导电插塞包括与所述绝缘覆盖图案的底表面接触的顶表面、与所述栅极电介质膜接触的侧壁和与单块层接触的底表面。
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