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申请/专利权人：ASML荷兰有限公司
摘要：基于衬底图案中的轮廓的曲率来确定蚀刻偏差方向。所述蚀刻偏差方向被配置成用于增强半导体图案化过程相对于先前图案化过程的准确度。在一些实施例中，接收所述衬底图案的表示，所述表示包括所述衬底图案的所述轮廓。确定所述衬底图案的所述轮廓的所述曲率，并且通过考虑相邻轮廓部分的所述曲率基于所述曲率来确定蚀刻偏差方向。针对在所述衬底图案上的蚀刻过程，使用模拟模型基于所述蚀刻偏差方向来确定蚀刻效果。
主权项：1.一种非暂时性计算机可读介质，在所述非暂时性计算机可读介质上具有指令，所述指令在由计算机执行时使所述计算机进行以下操作：接收衬底图案的第一轮廓的表示；确定所述第一轮廓的曲率；基于所述曲率确定蚀刻偏差方向；以及针对在所述衬底图案上的蚀刻过程，使用模拟模型基于所述蚀刻偏差方向来确定蚀刻效果。
全文数据：
权利要求：
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