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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种存储器件包括：包括多个单元块的存储单元阵列，多个单元块包括存储除用户数据以外的信息的第一单元块和存储用户数据的第二单元块，其中，多个单元块中的每一个单元块包括多个单元串；以及控制电路，被配置为控制存储单元阵列的写入操作和读取操作。第一单元块中包括的第一接地选择线GSL区域包括沿垂直方向堆叠的多条GSL。多个接地选择晶体管中的连接到多条GSL之一的一个或更多个接地选择晶体管被编程到第一阈值电压，多个接地选择晶体管中的未连接到该GSL的其他接地选择晶体管被编程到高于第一阈值电压的第二阈值电压。所述第一单元块中的第一GSL区域中包括的第一线与第二单元块中的连接到在存储用户数据的存储单元的字线被布置在相同高度。
主权项：1.一种存储器件，所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个单元块，所述多个单元块包括存储除用户数据以外的信息的第一单元块和存储所述用户数据的第二单元块，其中，所述多个单元块中的每一个单元块包括多个单元串；以及控制电路，所述控制电路被配置为控制所述存储单元阵列的写入操作和读取操作，其中，所述第一单元块中包括的第一GSL区域包括沿垂直方向堆叠的多条GSL，所述GSL即接地选择线，其中，多个接地选择晶体管中的连接到所述多条GSL之一的一个或更多个接地选择晶体管被编程到第一阈值电压，并且所述多个接地选择晶体管中的其他接地选择晶体管被编程到高于所述第一阈值电压的第二阈值电压，并且其中，所述第一单元块中的所述第一GSL区域中包括的第一线与所述第二单元块中的连接到存储所述用户数据的存储单元的字线被布置在相同高度。
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