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申请/专利权人：济南晶正电子科技有限公司
摘要：本申请提供一种复合衬底、复合薄膜的加工方法及复合衬底、复合薄膜，所述复合衬底的加工方法包括：准备衬底晶圆；对所述衬底晶圆的表面进行热氧化处理，得到带有二氧化硅层的衬底晶圆；当所述二氧化硅层的厚度大于或等于500nm时，对所述二氧化硅层的表面进行抛光处理；抛光去除的所述二氧化硅层厚度范围为所述二氧化硅层厚度的0.1％至10％；以解决目前加工复合薄膜时硅片会产生氧化诱生缺陷，导致硅片不仅增加了复合薄膜的漏损电流，还严重影响了半导体材料的电学性能的问题。
主权项：1.一种复合衬底的加工方法，包括：准备衬底晶圆；对所述衬底晶圆的表面进行热氧化处理，得到带有二氧化硅层的衬底晶圆；其特征在于，当所述二氧化硅层的厚度大于或等于500nm时，对所述二氧化硅层的表面进行抛光处理；抛光去除的所述二氧化硅层厚度范围为所述二氧化硅层厚度的0.1％至10％。
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百度查询： 济南晶正电子科技有限公司 复合衬底、复合薄膜的加工方法及复合衬底、复合薄膜
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