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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件，该制造方法包括如下步骤：提供一衬底，在衬底的第一表面形成第一绝缘层，第一绝缘层包括第一氧化硅层、第一氮化硅层和第二氧化硅层；刻蚀第一绝缘层和衬底，形成多个接触沟槽；去除第二氧化硅层，在接触沟槽的侧壁和底壁形成第二绝缘层，并在具有所述第二绝缘层的接触沟槽内填充多晶硅形成第一填充；去除第一填充与所述接触沟槽的一侧壁之间的所述第二绝缘层并形成间隙；去除所述第一填充形成空隙；去除所述第一绝缘层，并在所述衬底和所述空隙形成第三绝缘层，在所述空隙填充多晶硅形成第二填充并回刻；在所述衬底的第一表面和第二表面分别制作IGBT器件的正面结构和背面结构。
主权项：1.一种IGBT器件的制造方法，其特征在于，该制造方法包括如下步骤：S100：提供一衬底，在所述衬底的第一表面形成第一绝缘层，所述第一绝缘层包括第一氧化硅层、第一氮化硅层和第二氧化硅层；S200：刻蚀所述第一绝缘层和所述衬底，形成多个接触沟槽；S300：去除所述第二氧化硅层，在所述接触沟槽的侧壁和底壁形成第二绝缘层，并在具有所述第二绝缘层的接触沟槽内填充多晶硅形成第一填充；S400：去除所述第一填充与所述接触沟槽的一侧壁之间的所述第二绝缘层并形成间隙；S500：去除所述第一填充形成空隙；S600：去除所述第一绝缘层，并在所述衬底和所述空隙形成第三绝缘层，在所述空隙填充多晶硅形成第二填充；S700：在所述衬底的第一表面制作IGBT器件的正面结构；S800：在所述衬底的第二表面制作IGBT器件的背面结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 IGBT器件的制造方法及IGBT器件
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