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申请/专利权人：中科亿海微电子科技(苏州)有限公司
摘要：无电阻全CMOS亚阈值电压基准电路及工作方法，利用无电阻电流源电路生成参考电流，将参考电流Iref镜像到电压基准中通过亚阈值晶体管生成参考电压Vref，无电阻电流源电路中电流产生源晶体管均工作在亚阈值区，在生成的参考电流中引入NMOS晶体管的阈值电压Vthn，在电压基准电路中使用的亚阈值晶体管为PMOS，使其通过电流Iref之后，在参考电压Vref的表达式中得到正负阈值电压相减即Vthp‑Vthn的形式，从而得到取值较小的负温度系数。利用反馈电路构成HighPSRR偏置以提高基准电路的电源抑制比，相比于使用运放更加节省功耗与面积。利用启动电路消除电路简并点，使电路上电时脱离兼并零状态。
主权项：1.无电阻全CMOS亚阈值电压基准电路，其特征在于：其包括无电阻电流源电路、电压基准电路、HighPSRR偏置电路、启动电路；无电阻电流源电路包括：电流产生源部分和第一电流镜像部分，通过电流产生源部分生成参考电流Iref，通过第一电流镜像部分将参考电流Iref镜像到电压基准电路中，电流产生源部分的晶体管均工作在亚阈值区，并在生成的参考电流Iref中引入NMOS晶体管的阈值电压Vthn；电压基准电路包括：电压产生源部分和第二电流镜像部分，电压产生源部分采用PMOS亚阈值晶体管，使其通过电流Iref之后，在参考电压Vref的表达式中得到正负阈值电压相减Vthp-Vthn的形式，从而得到取值小的负温度系数；HighPSRR偏置电路是由晶体管构成的反馈电路，形成HighPSRR偏置；启动电路由三个晶体管组成，一个晶体管以二极管形式连接，一个晶体管的源极、漏极、衬底连接至地构成MOS电容，电源电压Vdd在上电过程中，另一个晶体管的栅极初始时刻电压为0，漏极电压为Vdd，该晶体管处于导通状态，将HighPSRR偏置电路中晶体管的栅极电平拉低，从而使无电阻电流源电路产生电流脱离兼并零状态。
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百度查询： 中科亿海微电子科技(苏州)有限公司 无电阻全CMOS亚阈值电压基准电路及工作方法
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