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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

摘要：公开了功率半导体器件和其生产方法。功率半导体器件包括：有源区中的第一区，包括多个第一沟槽，每个第一沟槽包括第一沟槽电极和第一沟槽绝缘体。第二区包括多个第二沟槽，每个第二沟槽包括第二沟槽电极和将第二沟槽电极与半导体主体电绝缘的第二沟槽绝缘体。以下的至少之一适用：每个第二沟槽绝缘体的最小厚度达到每个第一沟槽绝缘体的对应的最小厚度的至少120％；第二沟槽绝缘体的平均厚度达到第一沟槽绝缘体的平均厚度的至少120％；每个第二沟槽绝缘体在相应的第二沟槽的底部处的厚度达到每个第一沟槽绝缘体在相应的第一沟槽的底部处的对应厚度的至少120％；每个第二沟槽绝缘体的最小击穿电压达到每个第一沟槽绝缘体的最小击穿电压的至少120％。

主权项：1.一种功率半导体器件1，包括：-半导体主体10，其耦合到在第一侧110处的第一负载端子和相对于竖向方向Z在与第一侧110相对的第二侧120处的第二负载端子，-有源区1-1，其包括半导体主体10的部分，并且被配置为传导在第一负载端子与第二负载端子之间的负载电流，其中有源区1-2由边缘终止区1-3包围；-在第一侧110处的栅极端子13，其被配置为接收用于控制负载电流的控制信号；-有源区1-1中的第一区1-11，其包括多个第一沟槽14，每个第一沟槽14包括电连接到栅极端子13的第一沟槽电极141和将第一沟槽电极141与半导体主体10电隔离的第一沟槽绝缘体142；-第二区1-2，其包括多个第二沟槽15，每个第二沟槽15包括电连接到栅极端子13的第二沟槽电极151和将第二沟槽电极151与半导体主体10电绝缘的第二沟槽绝缘体152，其中以下情况中的至少之一适用：a每个第二沟槽绝缘体152的最小厚度达到每个第一沟槽绝缘体142的对应的最小厚度的至少120％；b第二沟槽绝缘体152的平均厚度达到第一沟槽绝缘体142平均厚度的至少120％；c每个第二沟槽绝缘体152在相应的第二沟槽15的底部处的厚度达到每个第一沟槽绝缘体142在相应的第一沟槽14的底部处的对应厚度的至少120％；d每个第二沟槽绝缘体152的最小击穿电压达到每个第一沟槽绝缘体142的最小击穿电压的至少120％。

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