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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种LDMOS器件及其制作方法，包括：衬底，衬底中形成有沟槽场板；栅极覆盖部分沟槽场板；沟槽场板远离栅极一侧的衬底中形成有漏区；栅极远离沟槽场板一侧的衬底中形成源区；接触孔位于介质层中且暴露出沟槽场板，接触孔中形成有接触柱。本发明在衬底的沟槽中形成有沟槽场板，代替绝缘层中的接触柱场板。沟槽场板作为接触孔刻蚀的底部暴露面，工艺可控；避免接触柱场板下方有氧化层的方案中，接触孔过刻或少刻导致的氧化层残膜厚度不稳定问题。本发明沟槽场板通过接触柱与源区电性连接，有利于降低栅漏边缘电场,提高器件击穿电压并抑制热载流子效应。
主权项：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有沟槽场板；所述衬底表面依次形成有栅氧化层和栅极，所述栅极覆盖部分所述沟槽场板；所述沟槽场板远离所述栅极一侧的衬底中形成漏区；所述栅极远离所述沟槽场板一侧的衬底中形成有源区；介质层，所述介质层覆盖所述栅极、所述衬底和所述沟槽场板；接触孔，所述接触孔位于所述介质层中且暴露出所述沟槽场板，所述接触孔中形成有接触柱；所述沟槽场板通过所述接触柱与所述源区电性连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 LDMOS器件及其制作方法
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