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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本申请提供了一种晶圆研磨方法及晶圆研磨设备，所述晶圆研磨方法包括：将晶圆放置于晶圆研磨设备的晶圆承载盘的表面；获取预设的精研磨参数，所述精研磨参数包括在对所述晶圆进行精研磨时所述晶圆研磨设备的磨轮的转速n1和所述晶圆承载盘的转速n2；基于所述精研磨参数控制所述磨轮和所述晶圆承载盘转动，以通过所述磨轮的研磨部件对所述晶圆的表面进行研磨，其中，在对所述晶圆进行精研磨时，所述磨轮和所述晶圆承载盘的转动方向相同，且所述精研磨参数满足n2n1等于0.1±0.025。本申请提高了晶圆研磨后表面粗糙度分布的均匀性，并且能够满足对粗糙度要求较高的产品的加工需要。
主权项：1.一种晶圆研磨方法，其特征在于，包括：将晶圆放置于晶圆研磨设备的晶圆承载盘的表面；获取预设的精研磨参数，所述精研磨参数包括在对所述晶圆进行精研磨时所述晶圆研磨设备的磨轮的转速n1和所述晶圆承载盘的转速n2；基于所述精研磨参数控制所述磨轮和所述晶圆承载盘转动，以通过所述磨轮的研磨部件对所述晶圆的表面进行研磨，其中，在对所述晶圆进行精研磨时，所述磨轮和所述晶圆承载盘的转动方向相同，且所述精研磨参数满足n21等于0.1±0.025。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 晶圆研磨方法及晶圆研磨设备
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