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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
摘要：一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，其中该导电层包括字线和位于该字线上方的漏极选择栅极电极，该漏极选择栅极电极包含多个漏极选择层级导电条带；竖直延伸穿过该交替堆叠的存储器堆叠结构；位于漏极选择层级导电条带的相应相邻对之间的漏极选择层级隔离结构；以及包括第一层接触通孔结构和第一管状绝缘间隔件的第一横向绝缘的接触通孔组件。该第一横向绝缘的接触通孔组件接触该字线中的第一字线的顶部表面，并且该第一横向绝缘的接触通孔组件横向接触该漏极选择层级隔离结构中的第一漏极选择层级隔离结构。
主权项：1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，其中所述导电层包括字线和位于所述字线上方的漏极选择栅极电极，所述漏极选择栅极电极包括多个漏极选择层级导电条带；存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构竖直延伸穿过所述交替堆叠；漏极选择层级隔离结构，所述漏极选择层级隔离结构位于漏极选择层级导电条带的相应相邻对之间；和第一横向绝缘的接触通孔组件，所述第一横向绝缘的接触通孔组件包括第一层接触通孔结构和第一管状绝缘间隔件，其中：所述第一横向绝缘的接触通孔组件接触所述字线中的第一字线的顶部表面；并且所述第一横向绝缘的接触通孔组件横向接触所述漏极选择层级隔离结构中的第一漏极选择层级隔离结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 包含延伸穿过漏极选择层级隔离结构的字线接触件的三维存储器器件及其制作方法
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