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申请/专利权人:华为技术有限公司
摘要:本申请提供了一种芯片和终端,涉及半导体技术领域,可以延缓晶体管的电流饱和,降低栅极驱动电压。该芯片包括晶体管,晶体管包括设置于衬底上的沟道层、栅介电层、铁电层、以及栅极。铁电层设置于沟道层与所述栅极之间,铁电层的等效厚度为栅介电层的等效厚度与沟道层中反型层的等效厚度之和。栅介电层的等效厚度反型层的等效厚度其中,D1表示栅介电层的实际厚度,K表示SiO2的介电常数,K1表示栅介电层的介电常数,D2表示反型层的实际厚度,K2表示反型层的介电常数。
主权项:1.一种芯片,其特征在于,包括晶体管,所述晶体管包括设置于衬底上的沟道层、栅介电层、铁电层、以及栅极;所述铁电层设置于所述沟道层与所述栅极之间;所述铁电层的等效厚度为所述栅介电层的等效厚度与所述沟道层中反型层的等效厚度之和;所述栅介电层的等效厚度所述反型层的等效厚度其中,D1表示所述栅介电层的实际厚度,K表示SiO2的介电常数,K1表示所述栅介电层的介电常数,D2表示所述反型层的实际厚度,K2表示所述反型层的介电常数。
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