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申请/专利权人：北京智创芯源科技有限公司
摘要：本发明创造属于半导体制造的技术领域，具体涉及了一种渐变铟球高度的红外焦平面探测器制备方法及其光刻版。本申请通过使用光刻版在涂有光刻胶的探测器芯片或读出电路上形成多个植铟区；每个所述植铟区中包括多个用于植铟的曝光区，同一所述植铟区中每个曝光区的植铟面积相同；对所述探测器芯片或所述读出电路上进行植铟和缩球操作，使得形成的铟球从所述探测器芯片或所述读出电路上的中心向边缘逐渐升高。使得在铟球制备时，做出中间低，四周高的铟球，就可以匹配探测器芯片的形貌，进行有效的倒装互连。
主权项：1.一种渐变铟球高度的红外焦平面探测器制备方法，其特征在于，包括：使用光刻版在涂有光刻胶的探测器芯片或读出电路上形成多个植铟区；每个所述植铟区中包括多个用于植铟的曝光区，同一所述植铟区中每个曝光区的植铟面积相同；所述植铟区至少有三个，分别为第一植铟区、第二植铟区和第三植铟区；所述第一植铟区位于所述探测器芯片或读出电路的中心位置；所述第二植铟区位于所述第一植铟区的外围，对所述第一植铟区形成包围；所述第三植铟区位于所述第二植铟区的外围，对所述第二植铟区形成包围；对所述探测器芯片或所述读出电路上进行植铟和缩球操作，使得形成的铟球从所述探测器芯片或所述读出电路上的中心向边缘逐渐升高。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京智创芯源科技有限公司 渐变铟球高度的红外焦平面探测器制备方法及其光刻版
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