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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请提供一种超结器件结构及其制造方法，该方法包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成外延层；步骤二，在外延层中形成多个PN结；步骤三，形成贯穿多个PN结上部的栅沟槽后，在栅沟槽的底部形成N型掺杂区；步骤四，在栅沟槽内壁形成栅介质层后，形成栅极层填满栅沟槽；步骤五，回刻蚀栅极层，直至露出外延层；步骤六，形成体区、源区和接触孔后，在接触孔内填充金属层。该超结器件结构的栅极密度不受PN结节距大小的影响，可以减少栅极面积，降低漏源电容Cgd；栅极底部形成有N型掺杂区，可以降低寄生JFET效应，降低导通电阻；P型体区全部相连，面积增大，提高了器件EAS性能；大幅提升器件的开关速度。
主权项：1.一种超结器件结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，提供一衬底，在所述衬底上形成外延层；步骤二，在所述外延层中形成多个PN结；步骤三，形成贯穿所述多个PN结上部的栅沟槽后，在所述栅沟槽的底部形成N型掺杂区；步骤四，在所述栅沟槽内壁形成栅介质层后，形成栅极层填满所述栅沟槽；步骤五，回刻蚀所述栅极层，直至露出所述外延层；步骤六，形成体区、源区和接触孔后，在所述接触孔内填充金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种超结器件结构及其制造方法
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