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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明公开了一种考虑物理特性的非分段SiCMOSFET器件温度模型的建立方法，包括如下步骤：根据实际测试的不同温度下的输出特性曲线和电容曲线，通过数学拟合方法得到器件模型中的待定参数，建立SiCMOSFET器件模型用于基于SPICE工具的电路仿真，建立SiCMOSFET器件模型包括：建立器件的等效电路模型，对器件进行整体描述，器件的等效电路模型包括器件的输出电流模型、器件的电容模型及器件的温度模型；根据器件实测的室温下输出特性曲线得到器件的输出电流模型；根据器件实测的电容曲线得到器件的电容模型；根据器件实测的不同温度下的输出特性曲线得到器件的温度模型。本发明提出的模型采用连续的方程，利于模型参数的计算与仿真收敛。
主权项：1.一种考虑物理特性的非分段SiCMOSFET器件温度模型的建立方法，其特征在于，包括如下步骤：根据实际测试的不同温度下的输出特性曲线和电容曲线，通过数学拟合方法得到器件模型中的待定参数，建立SiCMOSFET器件模型用于基于SPICE工具的电路仿真；建立SiCMOSFET器件模型包括：建立器件的等效电路模型，对器件进行整体描述，器件的等效电路模型包括器件的输出电流模型、器件的电容模型及器件的温度模型；根据器件实测的室温下输出特性曲线得到器件的输出电流模型；根据器件实测的电容曲线得到器件的电容模型；根据器件实测的不同温度下的输出特性曲线得到器件的温度模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种考虑物理特性的非分段SiC MOSFET器件温度模型的建立方法
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