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申请/专利权人：深圳市冠禹半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体功率器件CSP构造及其器件制造方法，CSP构造包括芯片载体、以表面接合方式设置在芯片载体上的器件芯片、及焊料。器件芯片包括由晶面源极层延伸至第一芯片侧边的源极立垫、由晶背漏极层延伸至第二芯片侧边的漏极立垫及位于其它两平行芯片侧边的栅极立垫；器件芯片朝向芯片载体的表面设置有第一导热隔离膜，以遮盖晶面源极层或是晶背漏极层。第一导热隔离膜具有可平贴于芯片载体的下凸表面，源极立垫、漏极立垫与栅极立垫相对内缩于该下凸表面，以提高焊料收容量。本发明优选示例中能达成以被动元件表面接合机将半导体功率器件的芯片安装在CSP构造中的技术成就，以焊料固着器件芯片与芯片载体而不会引发多余焊料拓散短接的问题。
主权项：1.一种半导体功率器件CSP构造，其特征在于，包括：芯片载体，其上表面设有源极面垫、漏极面垫及位于之间的栅极面垫；器件芯片，以表面接合方式设置在所述芯片载体上，所述器件芯片包括由晶面源极层延伸至第一芯片侧边的源极立垫、由晶背漏极层延伸至第二芯片侧边的漏极立垫及位于其它两平行芯片侧边的栅极立垫；所述器件芯片朝向所述芯片载体的表面设置有第一导热隔离膜，以遮盖所述晶面源极层或是所述晶背漏极层；焊料，分别连接所述源极面垫与所述源极立垫、连接所述漏极面垫与所述漏极立垫、及连接所述栅极面垫与所述栅极立垫；其中，所述第一导热隔离膜具有可平贴于所述芯片载体的下凸表面，所述源极立垫、所述漏极立垫与所述栅极立垫相对内缩于所述下凸表面，以提高焊料收容量。
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